: IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO; GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题; 电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂2、升压斩波电路中，已知电源电压E =30V,负载电压U0=50V,斩波周期T=10μs，则开通时间ton=（ ）A:1μs B:2μs C:3μs D:4μs